一、核心技術(shù)原理
（一）原邊反饋控制技術(shù)
SM7505P 采用原邊反饋控制技術(shù)，摒棄了傳統(tǒng)副邊反饋所需的光耦和 TL431 等元件。傳統(tǒng)副邊反饋通過光耦將輸出電壓信號傳遞至原邊控制芯片，而原邊反饋控制則直接通過檢測變壓器原邊繞組的信息來間接獲取輸出電壓和電流情況。芯片通過檢測變壓器輔助繞組的電壓，結(jié)合內(nèi)部算法，精確調(diào)節(jié)開關(guān)管的導(dǎo)通和關(guān)斷時間，從而實(shí)現(xiàn)對輸出電壓和電流的控制。這種技術(shù)極大地簡化了電路設(shè)計，減少了元件數(shù)量，降低了系統(tǒng)成本，同時也提高了電路的集成度和可靠性。
（二）集成高壓啟動與功率開關(guān)
芯片內(nèi)部集成了高壓啟動電路和高壓功率開關(guān)。高壓啟動電路能夠在市電接入后迅速建立芯片工作所需的偏置電壓，使芯片快速進(jìn)入正常工作狀態(tài)。集成的高壓功率開關(guān)可承受較高的電壓，在開關(guān)電源的功率轉(zhuǎn)換過程中，高效地進(jìn)行電能的存儲與釋放，減少了外部功率器件的使用，進(jìn)一步簡化了電路設(shè)計，同時也降低了功率器件之間的連接損耗，提高了電源的整體效率。
二、關(guān)鍵性能指標(biāo)
（一）寬電壓輸入特性
SM7505P 支持 85Vac - 265Vac 的寬電壓輸入范圍，這使其能夠適應(yīng)全球不同地區(qū)的市電電壓標(biāo)準(zhǔn)。在寬電壓輸入下，芯片通過內(nèi)部的電壓調(diào)節(jié)和補(bǔ)償機(jī)制，確保輸出電壓和電流的穩(wěn)定性。在低電壓輸入時，芯片優(yōu)化開關(guān)管的導(dǎo)通時間和占空比，保證足夠的功率輸出；在高電壓輸入時，通過限制峰值電流和調(diào)整工作頻率，防止器件過壓損壞，始終保持全電壓范圍內(nèi)恒壓精度小于 ±3%，恒流精度小于 ±3% ，為負(fù)載提供穩(wěn)定可靠的電源。
（二）低待機(jī)功耗
該芯片待機(jī)功耗小于 120mW@220Vac，滿足了現(xiàn)代電子產(chǎn)品對節(jié)能的要求。在待機(jī)狀態(tài)下，芯片進(jìn)入低功耗模式，通過降低內(nèi)部電路的工作頻率、關(guān)閉部分非必要模塊等方式，大幅減少電能消耗，符合綠色能源和環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)，降低了設(shè)備在待機(jī)狀態(tài)下的能源浪費(fèi)。
三、保護(hù)機(jī)制
（一）過壓與欠壓保護(hù)
芯片內(nèi)置 HVDD 過壓保護(hù)和欠壓保護(hù)功能。當(dāng) HVDD 引腳電壓超過設(shè)定的過壓閾值時，過壓保護(hù)電路迅速動作，關(guān)閉開關(guān)管，防止過高的電壓對芯片內(nèi)部電路和其他元件造成損壞；當(dāng) HVDD 引腳電壓低于欠壓閾值時，欠壓保護(hù)電路啟動，使芯片進(jìn)入待機(jī)或保護(hù)狀態(tài)，避免因電壓不足導(dǎo)致電路工作異常，保障了系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性。
（二）電流限制與前沿消隱
逐周期峰值電流限制功能實(shí)時監(jiān)測開關(guān)管的電流，當(dāng)電流超過設(shè)定的峰值電流限制值時，立即關(guān)斷開關(guān)管，防止因電流過大而損壞開關(guān)管和其他元件。前沿消隱電路（LEB）可有效抑制開關(guān)管開通瞬間產(chǎn)生的尖峰噪聲，避免誤觸發(fā)電流保護(hù)，提高了保護(hù)電路的準(zhǔn)確性和可靠性。
四、應(yīng)用優(yōu)勢與潛在局限
（一）應(yīng)用優(yōu)勢
在 LED 照明驅(qū)動領(lǐng)域，SM7505P 的高精度恒壓 / 恒流輸出可確保 LED 燈的亮度穩(wěn)定，減少閃爍，延長 LED 的使用壽命；在小功率充電器和適配器應(yīng)用中，其寬電壓輸入、低待機(jī)功耗和高可靠性，能為設(shè)備提供穩(wěn)定的電源，同時降低使用成本和能耗；作為電腦、電視等產(chǎn)品的輔助電源或待機(jī)電源，芯片的節(jié)省元件特性有助于縮小電源模塊體積，降低成本，且保護(hù)功能可有效保障主設(shè)備安全。
